Everspin代理MR20H40CDF串行MRAM替换Cy

　　EverspinMRAM是面向数据持久性和完整性、低延迟和安全性至关重要的市场和应用的翘楚。MR20H40CDF是位宽512Kx8的非易失性存储器MRAM，对于必须使用少量IO引脚快速存储和检索数据和程序的应用程序，是理想的存储器解决方案。它们具有串行EEPROM和串行闪存兼容的读写时序，没有写延迟和无限的读写耐久性。与其他串行存储器不同，使用MR20H40CDF系列，读取和写入都可以在存储器中随机发生，写入之间没有延迟。Everspin代理英尚微电子支持提供样品测试及产品相关技术方案。
　　MR20H40CDF概述
　　MR20H40CDF是一款SPI接口MRAM系列，其存储器阵列在逻辑上组织为512Kx8，使用芯片选择（CS）、串行输入（SI）、串行输出（SO）和串行时钟（SCK）的四引脚接口。外设接口（SPI）总线。MRAM实现了SPIEEPROM和SPI闪存组件通用的命令子集。这允许SPIMRAM替换同一套接字中的这些组件并在共享SPI总线上进行互操作。与其他串行存储器替代品相比，SPIMRAM提供卓越的写入速度、无限的耐用性、低待机和操作功率以及简单、可靠的数据保留。
　　MR20H40CDF的优势
　　与赛普拉斯FRAM相比，升级到EverspinMRAM具有许多优势：
　　更快的随机访问操作时间（50MHz20nstCLK和40MHz25nstCLK）
　　高可靠性和数据保留（在125工作温度下超过20年）
　　无限读写耐久性
　　无需担心磨损
　　断电时自动数据保护
　　有竞争力的价格
　　稳定的制造供应链
　　常见引脚
　　MR20H40CDF是一个4Mb非易失性RAM，组织为512Kx8，由标称3。3V电源供电，并与FRAM兼容。它提供标准的8引脚SmallFlagDFN（DF版本）和8引脚DFN（DC版本），它们是通用封装选项，可直接替代SPIFRAM8引脚SOIC和8引脚DFN封装（表1）。
　　表1。引脚和封装比较
　　特性功能
　　SPIMRAM（MR20H40CDF）
　　SPIFRAM（CY15B104Q）
　　注释
　　8pinDFN外露金属焊盘
　　除了VSS之外不要连接任何东西
　　无连接
　　MRAM8pinDFN封装的ExposedMetalPad为NC（NoConnect）因此，它可以浮动或连接到VSS。Everspin不建议在PCB上焊接MRAMDFN外露金属焊盘
　　8pin封装
　　8pinDFN
　　8pinDFN（SmallFlag）
　　8pinDFN，
　　8pinSOIC
　　MRAM的8引脚DFN封装与FRAM的8引脚DFN封装兼容。SPIMRAM也适合赛普拉斯8引脚SOIC封装
　　EVERSPINMRAM将提供最具成本效益的非易失性RAM解决方案。MR2xH40xDFMRAM使用更简单的1晶体管、1磁隧道结单元构建。简单的EverspinMRAM单元可提高制造效率和可靠性。MRAM使用磁性隧道结技术进行非易失性存储。数据不会在高温下泄漏，并且没有磨损机制来限制该技术中的读取、写入或电源循环次数。切换MRAM可靠性的另一个重要方面是数据保留，防止因热感应磁化翻转引起的错误。进行了加速烘烤测试，其中在烘烤前将棋盘图案写入部件，然后读取数据。三个批次的1500个代表性4Mb部件在1502000小时到2602小时的条件下烘烤，并且观察到所有部件的数据保留翻转为零。外推到工作温度表明数据保留寿命超过20年。由于磁性材料对辐射暴露的固有稳健性，MRAM还提供抗辐射性能。4Mb芯片的阿尔法粒子和中子辐射显示错误率0。5FITMb。