32Mb高速低功耗异步SRAM

　　ISSI生产32Mb高速低功耗异步SRAM，这种创新的设计加强了ISSI对具有最高质量和性能的SRAM的长期承诺，32MbSRAM在汽车A3温度范围（40C至125C）下提供12ns的访问时间。
　　ISSIIS6164WV204816ALLBLL是高速32M位静态RAM，组织为2048K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。
　　这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的设备。
　　当CS为高电平（取消选择）时，器件将进入待机模式，在该模式下，可以通过CMOS输入电平降低功耗。使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOWWriteEnable（WE）控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节（UB）和低字节（LB）。
　　该器件采用JEDEC标准的48引脚TSOP（TYPEI）和48引脚微型BGA（6mmx8mm）封装，应用范围在汽车工业医疗电信网络等。
　　SRAM存储器是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址，可以随机访问。SRAM支持三种不同的模式。每个功能在下面的真值表中进行了描述。
　　待机模式
　　取消选择时，设备进入待机模式（CS高）。输入和输出引脚（IO015）处于高阻抗状态。此模式下的CMOS输入将最大程度地节省功率。
　　写模式
　　选择芯片（CS）且写使能（WE）输入为LOW时发生写操作问题。输入和输出引脚（IO015）处于数据输入模式。即使OE为LOW，在此期间输出缓冲区也会关闭。UB和LB启用字节写入功能。通过将LB设为低电平，将来自IO引脚（IO0至IO7）的数据写入地址引脚上指定的位置。且UB为低电平时，来自IO引脚（IO8至IO15）的数据被写入该位置。
　　读取模式
　　选择芯片时（CS为低电平），写使能（WE）输入为高电平时，读操作出现问题。当OE为LOW时，输出缓冲器打开以进行数据输出。不允许在读取模式下对IO引脚进行任何输入。UB和LB启用字节读取功能。通过启用LBLOW，来自内存的数据出现在IO07上。且UB为低电平时，来自内存的数据出现在IO815上。
　　在读取模式下，可以通过将OE拉高来关闭输出缓冲器。在此模式下，内部设备作为READ操作，但IO处于高阻抗状态。由于器件处于读取模式，因此使用有功电流。
　　上电初始化
　　该器件包括用于启动上电初始化过程的片上电压传感器。
　　当VDD达到稳定水平时，器件需要150us的tPU（上电时间）来完成其自初始化过程。
　　初始化完成后，设备即可正常运行。