目前针对不同的应用市场，SRAM产品的技术发展已经呈现出了两大趋势：一是向高性能通信网络所需的高速器件发展，由于读写速度快，SRAM存储器被用作计算机中的高速缓存，提高它的读写速度对于充分发挥微处理器的优势，改善处理器性能有着积极的意义。另一个是降低功耗，以适应蓬勃发展的便携式应用市场。英尚微电子介绍关于SRAM读写中写操作分析。
　　SRAM写操作分析
　　写操作与读操作正好相反，它要使存储单元的状态按照写入的数据进行相应的翻转。如图3。6表示了六管单元的写操作示意图。位线BIT在写操作开始时被驱动到低电平。在字线打开传输管后，N3与P1管在BIT与高电平VDD之间形成分压。为了写操作的成功，也就是下拉节点A至足够的低电平，启动反相器P2N2放大新数据，传输管N3应该比P1管有更好的导通性。一旦反相器P2N2开始放大节点A上的低电压，也就是节点A上的下拉管N2被关闭，上拉管P2被打开，节点B的电压将上升，反相器P1N1也将被启动，节点A在正反馈作用下进一步向GND转化，写操作被加速。
　　图1六管单元的写操作
　　在六管单元的写操作中，外部电路驱动两个互补的信号到位线BIT和BIT上，字线驱动器驱动字线ROW到高电平，位线信号经两个传输管写入存储节点。如图3。6所示的正是向存有1的单元写0的情况，也就是把A点的电平由VDD下拉至GND。

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