赛普拉斯代理256Kbit串行FRAM存储芯片FM25V02

　　功能概述
　　FM25V02A是使用高级铁电工艺的256Kbit非易失性存储器。FRAM是非易失性的；与RAM相同，它能够执行读和写操作。它提供151年的可靠数据保留时间，并解决了由串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器造成的复杂性、开销和系统级可靠性的问题。赛普拉斯代理英尚微电子提供技术相关支持。
　　与串行闪存和EEPROM不同，FM25V02A以总线速度执行写操作。不会产生写延迟。每个字节成功传输到器件后，数据立即被写入到存储器阵列内。这时可以开始执行下一个总线周期而不需要轮询数据。铁电存储器与其他非易失性存储器相比，该产品提供了更多的擦写次数。FM25V02A能够支持1014次读写周期，或支持比EEPROM多1亿次的写周期。
　　由于具有这些特性，因此FM25V02A适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。应用的范围包括从数据采集（其中写周期数量是非常重要的）到苛刻的工业控制（其中串行闪存或EEPROM的较长写时间会使数据丢失）。
　　作为硬件替代时，FM25V02A为串行EEPROM或闪存的用户提供大量便利。FM25V02A使用高速的SPI总线，从而可以增强FRAM技术的高速写入能力。该设备包含一个只读的设备ID，通过该ID，主机可以确定制造商、产品容量和产品版本。在40到85的工业级温度范围内，该设备规范得到保证。
　　特性
　　256Kbit铁电性随机存储器（FRAM）被逻辑组织为32K8
　　高耐久性：100万亿（1014）次的读写操作
　　151年的数据保留时间
　　NoDelay写操作
　　高级高可靠性的铁电工艺
　　非常快的串行外设接口（SPI）
　　频率高达40MHz
　　串行闪存和EEPROM的硬件直接替代
　　支持SPI模式0（0，0）和模式3（1，1）
　　精密的写入保护方案
　　使用写保护（WP）引脚提供硬件保护
　　使用写禁用指令提供软件保护
　　可为14、12或整个阵列提供软件模块保护
　　设备ID
　　制造商ID和产品ID
　　低功耗
　　频率为40MHz时，有效电流为2。5mA
　　待机电流为150mA
　　睡眠模式电流为8mA
　　工作电压较低：VDD2。0V到3。6V
　　工业温度范围：4085
　　封装
　　8引脚小外型集成电路（SOIC）封装
　　8引脚扁平无引脚（DFN）封装
　　符合有害物质限制（RoHS）
　　封装引脚
　　FM25V02A是一种采用先进铁电工艺的256Kbit非易失性存储器。FRAM是非易失性的，执行类似于ram的读取和写入操作。它提供了151年的可靠数据保留，同时消除了由串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性、开销和系统级可靠性问题。