SRAM的性能及结构

　　SRAM它也由晶体管组成。接通代表1，断开表示0，并且状态会保持到接收了一个改变信号为止。这些晶体管不需要刷新，但停机或断电时，它们同DRAM一样，会丢掉信息。SRAM的速度非常快，通常能以20ns或更快的速度工作。静态ram中所谓的静态，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。因此SRAM具有较高的性能，
　　SoC随着工艺进步设计复杂度增加，embededsram也越来越多。在40nmSoC产品Sram一般在20Mbits左右，当工艺发展到28nm时Sram就增加到100Mbits。如果考虑AI产品，Sram估计更多。如何更好的测试Sram就成为量产测试的重中之重。
　　SRAM的性能
　　memorycompiler的选择
　　对于一个memorysize大小确定的memoryblock，ColumnMux越大，Rowaddress位宽越小：
　　memory读写的访问速度就高（row译码选择快）
　　memory的面积大（cell和cell的横向距离大于纵向距离，columnmux增加很增加bitsperwordline横向，减少wordline数纵向，横向尺寸增加远大于纵向）
　　因为一次选择的row地址对应的cell多，功耗也会增加
　　电流功耗
　　总电流功耗包括dynamicpower和leakagepower。不同的sramcell单元（比如HPC，HDC等等）功耗指标不同，体系结构设计需要在面积，速度和功耗之间寻找平衡。
　　leakagecurrent是永远存在的
　　Poweroff模式（cellperipheryoff）Retention模式（cellONperipheryOFF）Standby模式（cellperipheryon）
　　1Mbitsmemory的standbyRetleakage电流在0。2mA左右，poweroffleakage电流在0。03mA左右。
　　dynamiccurrent：columnmux，读写速度，读写辅助电路等都会影响动态电流
　　如果在常温状态下leakagecurrent比较大，在高温或者大的dynamiccurrent时必须注意thermalrunaway的风险，因为温度升高leakagecurrent会增加很快，总功耗的增加会进一步增加温度，形成正反馈。
　　SRAM的其他特性
　　SRAM的读写时间可以做成selftiming，当读写被时钟上升沿trigger以后，SRAM内有dummybitlinedummydriver来驱动计时器得到读写的时间。得到读写时间后，用该时间访问实际sramcell保证读写时间ok。
　　SRAM的结构
　　一个6Tsramcell的经典结构如图所示：
　　SRAM的结构
　　这些SRAMcell集合成如下图的多个bank的memoryblock，每个bank有bankaddress使能；在一个bank内Rowaddress选择一个完整的wordline，Columnaddress选择某组IObitlines。
　　举个例子说明如下：
　　一个memoryblock是4096x32cm16，该memorysize409632128kbits，rowaddressis8bits（409616256wordlines），columnaddressis4bits（015），Wordlinebits3216512bits。