非易失性MRAM基本知识详解

　　MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力；以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
　　MRAM特性
　　MRAM读写周期时间：35
　　真正无限次擦除使用；
　　业内最长的寿命和数据保存时间超过20年的非易失特性；
　　单芯片最高容量为16Mb；
　　快速、简单接口16位或8位并行SRAM、40MHz高速串行SPI接口；
　　具有成本效益简单到只有一个晶体管、一个磁性穿隧结（1T1MTJ）位单元；
　　最佳等级的软错误率远比其它内存优异；
　　可取代多种存储器集Flash、SRAM、EEPROM、DRAM的功能于一身；具备商业级、工业级、扩展级和汽车级的可选温度范围；
　　符合RoHS规范：无电池、无铅；
　　小封装：TSOP、VGA、DFN
　　MRAM的存储原理
　　MRAM是以磁性隧道结（MTJ）储存单元为基础。MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层，和一个通过隧道结与其隔离的自由层。当自由层被施予和固定层相同方向的极化时，MTJ的隧道结便会显现出低电阻特性；反之MTJ便会有高电阻。此磁阻效应可使MRAM不需改变内存状态，便能快速读取数据。当流经两金属线的电流足以切换MTJ的磁场时，在两金属线交点的MTJ就会被极化（写入）。此过程能以SRAM的速度完成。
　　MRAM的存储原理
　　MRAM的优势
　　优势一：
　　其采用的磁性极化的方式与传统的电荷存储方式不同，有效避免了电荷漏电的问题，从而保证数据能够在宽广的温度范围内被长期保存。
　　优势二：
　　两个状态间的磁性极化切换不会涉及到实际的电子或原子移动，因此不会有耗损机制的存在。
　　优势二：
　　两个状态间的磁性极化切换不会涉及到实际的电子或原子移动，因此不会有耗损机制的存在。
　　非易失性存储器串行mram
　　典型电路示例MR25H404MbitMRAM
　　典型电路示例MR25H404MbitMRAM
　　非易失性存储器并行mram
　　典型电路示例MR2A16A256K16MRAM
　　典型电路示例MR2A16A256K16MRAM
　　非易失性存储器MRAM选型
　　MRAM选型
　　非易失性存储器MRAM的应用
　　MRAM的应用
　　MRAM使用问题
　　MRAM是一种铁磁性存储器，在使用的时候，应尽量避免与强磁性物质否则高压大电流导体进行短距离接触，否则容易导致内部数据丢失甚至是芯片损坏。
　　MRAM使用问题
　　Everspin是专业设计和制造MRAM和STTMRAM的翘楚，其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。Everspin在数据中心，云存储，能源，工业，汽车和运输市场中部署了超过1。2亿个MRAM和STTMRAM产品，为MRAM用户奠定了强大的基础。Everspin一级代理英尚微电子可为用户提供驱动和例程等技术方面支持。