半导体设备产业链投资梳理

　　半导体产业链
　　从产品类型看，半导体主要由集成电路、光电子器件、分立器件和传感器组成；
　　其中，集成电路的市场规模是最大的，占据80；
　　一个产业链的景气度一般是从上游开始往下游传播，所以我们应该重点关注一个产业链的上游，中游；
　　而下游，一般就是应用终端，比如，手机，汽车等等；
　　对于半导体产业链来讲，抓住了上游，就抓住了整个产业链的机会；
　　比如，手机芯片，汽车IGBT都是需要依靠上游的半导体设备和半导体材料，这也是我们被卡脖子最严重的地方；
　　需要半导体材料的可以翻一下，之前的文章；
　　回到正文，我们来分析半导体设备产业链；半导体设备
　　半导体设备行业具有较高的技术壁垒、市场壁垒和客户认知壁垒，以美国应用材料、荷兰阿斯麦、美国泛林集团、日本东京电子、美国科天等为代表的国际知名企业起步较早，经过多年发展，凭借资金、技术、客户资源、品牌等方面的优势，占据了全球半导体设备市场的主要份额；美国在等离子刻蚀设备、离子注入机、外延生长系统、化学气相沉积设备、溅射设备、退火设备、镀铜设备、去胶设备、掩膜版制造设备、工艺检测设备、圆片清洗设备、部分测试设备等方面占据优势；日本在光刻机、涂胶设备、显影设备、封装及测试设备、氧化LPCVD设备、等离子刻蚀设备、化学气相沉积设备、检测设备、传送装置等方面具有优势；荷兰则在高端光刻机方面居于国际领先地位；
　　我国半导体设备大量依赖进口；
　　中国电子专用设备工业协会统计的数据包括集成电路、LED、面板、光伏等设备，实际上国内集成电路设备的国内市场自给率仅有5左右，在全球市场仅占12，技术含量最高的集成电路前道设备市场自给率更低；
　　市场发展趋势是：芯片尺寸不断缩小，从12微米22纳米硅片尺寸不断扩大，从4英寸，6英寸，8英寸，12英寸
　　国家政策也是在不断扶持半导体行业，《中国制造2025》对于半导体设备国产化提出明确要求：
　　在2020年之前，9032nm工艺设备国产化率达到50，实现90nm光刻机国产化，封测关键设备国产化率达到50；
　　在2025年之前，2014nm工艺设备国产化率达到30，实现浸没式光刻机国产化；
　　对于半导体设备环节来讲，以产业链应用环节来划分，设备可分为前道工艺设备（晶圆制造）和后道工艺设备（封装测试）两个大类；2022年半导体设备市场规模：
　　其中，晶圆制造相关设备占据整个半导体设备市场的8085；
　　尤其是其中价值最大，市场规模最大的三个环节，光刻机，刻蚀机和薄膜设备；
　　我们首先来看半导体晶圆加工流程，硅片制造请移步，硅片制造文章；
　　前道工艺就是目前难度最大的地方，尤其是其中的光刻机；
　　1氧化
　　目的是形成绝缘层，隔离电学器件，为下一步的光刻做准备；
　　氧化镀膜就是将一层二氧化硅沉积到晶圆表面，再沉积一层氮化硅，与铁生锈过程十分类似
　　2匀胶
　　在晶圆表面滴上光刻胶，利用旋涂技术使光刻胶均匀涂抹；
　　主要目的是为了方便后续通过曝光使可溶的胶体被去除，在晶圆表面上留下掩模版的图形
　　3曝光
　　在晶圆上方放置掩模版，掩模版由透明玻璃与不透明的铬制成；
　　使用光刻机对准掩模版，进行紫外线曝光；
　　这一步的目的就是通过光刻机将掩模版上的图形转移到光刻胶上；
　　掩模版上透光部分使得下面的光刻胶被曝光，不透光部分下面的光刻胶则不会受影响；
　　光刻胶被紫外线曝光的部分变得可溶解；
　　4显影
　　被曝光的光刻胶可以通过专用的显影液去除
　　显影将光刻胶下的氮化硅层暴露出来，掩模版上的图形得以顺利转移；
　　5刻蚀
　　这一步的目的是进一步将光刻胶上的图案进一步转移到氧化层上（SiO2）
　　使用腐蚀性液体将暴露出来的氮化硅层及二氧化硅层刻蚀下去，或者使用等离子体轰击晶圆表面的方式，使得未被光刻胶覆盖的区域被刻蚀；
　　随后去胶，清洗表面；
　　6沉积
　　主要目的是制作介质层；
　　再沉积一层二氧化硅使晶体管之间绝缘；
　　随后沉积出一层多晶硅薄膜用于制作栅极，重复涂胶，光刻，显影，刻蚀的步骤，暴露出硅晶圆晶格，并保留多晶硅栅极；
　　7研磨
　　在每一层构筑完成后，用化学腐蚀和机器研磨相结合的方式对晶圆表面进行研磨，使表面平整；
　　8离子注入
　　将P型或者N型杂质轰进刚刚刻蚀出来的半导体晶格中，使得晶格中的原子排列发生变化，形成PN节；
　　从而可以改变半导体载流子浓度以及导电类型；
　　9退火
　　离子注入后也会产生一些晶格缺陷，退火环节主要是将离子注入后的半导体放在一定温度下进行加热，使得注入的粒子扩散，恢复晶体结构，修复缺陷，激活所需要的电学特性；
　　最后将制备好的晶圆进行减薄，切片，封装，检测；
　　篇幅有限，后续会继续更新半导体设备各个环节的产业链梳理，以及投资标的；
　　有需要的，先点个关注，后续更新不错过！