单条96GB的DDR5内存条: SK海力士刚刚宣布量产采用1nm工艺的DDR5内存,每个芯片的存储容量为24Gb,是当前业界存储密度最高的DDR5内存芯片。 1nm是进入10nm级后的第四个工艺节点:之前三个节点的名称为1x、1y、1z。在1znm之后按希腊字母、、等延续,对应不同的工艺改进,这次SK海力士的1nm使用了EUV光刻。下图为美光的技术路线图。 SK海力士24GbDDR5芯片的最直接作用是推动内存容量增长,相比1ynm工艺的16Gb芯片,存储容量提高50、性能提高33、功耗降低25。24GbDDR5芯片将首先用于制造服务器上使用的48GB和96GBRDIMM内存条。 150度下保存10年的7bpc闪存: 日本Floadia宣布已开发出一种每单元可存储7比特数据、150度条件下可保存十年的新型闪存。相比之下,普通3DNAND闪存每个存储单元可保存3比特(TLC)或4比特(QLC)数据,工作温度在70度以内。 当然,也不要被表面参数所迷惑,Floadia的新产品并不是面向SSD或家用数码产品使用,而是针对嵌入式存储应用,如边缘计算环境下AI加速器的CiM内存计算。Floadia自己并不制造闪存,而是将开发出的技术授权给需要的厂商, 在存储容量上,专为微控制器设计的Sonos闪存没有任何优势,但每单元可存储7比特数据并在高温下保存10年的表现依然非常有特色。Floadia进行了多项创新将7bpcSonos闪存的数据保持时间从100秒延长到10年,无疑是一项非常显著的成就。