阿斯麦CEO一语中的！2种国产光刻机均传来好消息！华为有救了

　　我们都知道，华为在芯片设计方面水平超高，不亚于任何一家美国芯片设计公司。然而，苦于国内芯片制造环节拖后腿，在被制裁之后，华为找不到代工厂能为它代工芯片，而国内芯片制造领域也同样面临被卡脖子的困境，当务之急就是打造去美国技术芯片生产线。
　　虽然我们没有必要在去美国技术芯片生产线上全部使用国产设备，但为了避免再次被卡脖子，其中最难而且无法短时间攻克的光刻机必须采用国产光刻机。
　　心声社区发布的图片表明华为处境艰难
　　提到光刻机，很多人的第一反应就是，这东西太精密了，有人甚至用集全人类智慧的结晶来形容。这么说可是一点儿也不夸张，据了解，目前高端光刻机只有荷兰的阿斯麦能够生产，但它也无法独立研制出来，其多数核心零部件都从美国、德国、日本等国定制。
　　正因为其研制难度太大了，很多国人对于我国在短期内突破芯片生产环节的卡脖子这件事没有底气。然而，纵观建国以来的70多年，我国又何尝没有被技术封锁过呢？又有哪次技术封锁能够遏制我国的发展呢？因此，我们一定要对祖国有信心，对中华民族的聪明才智有信心！
　　今年4月份的时候，荷兰光刻机制造商ASML（阿斯麦）的CEO彼得温宁克曾表示，对中国的光刻机出口禁令不仅没有能够限制中国相关技术的发展，反而促使中国加倍努力投入。温宁克预测称，如果保持相关出口禁令，中国可能在三年内掌握先进光刻机技术，届时就是ASML退出世界光刻机市场的时间点。
　　这位专业人士公开这么说并非捧杀我们，而是基于事实！据了解，我国早已在光刻机领域耕耘了15年左右！早在2006年，中央高层就高瞻远瞩，设立了02专项，专门针对芯片生产线最难的光刻机、光刻胶、EDA等关键技术进行技术攻关。同时还设立了01专项，目的是为了突破核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品等关键技术。
　　2018年5月24日，02专项极紫外（EUV）光刻胶通过验收那么我国的国产高端光刻机进展如何呢？
　　目前先进光刻机主要有2种，DUVi光刻机和EUV光刻机。
　　可以很自信地告诉大家，我国这两种光刻机均已突破核心技术！前者即将投产，后者也即将造出原型机！
　　接下来介绍相关情况。
　　一、国产DUVi光刻机已经完成组装，将在年底或明年初投产，可用于制造14纳米甚至7纳米芯片。
　　DUVi光刻机采用波长为193纳米的光源，经过多个透镜折射，最终实现单次曝光28纳米，加多次曝光达到7纳米，甚至5纳米的超高精度。这种光刻机有三大核心零部件，分别是波长为197纳米的Arf光源、超高精度透镜、双工件台。
　　目前国内多方消息均证实国产DUVi光刻机即将诞生！
　　2021年6月23日，据世界网科技报道，中国电子信息产业发展研究院电子信息研究所所长温晓军接受采访时表示，国产14纳米芯片可以在明年年底量产，国产芯片的发展迎来了最好的时刻，大规模生产，国产芯片已经迎来了最好的时刻。
　　2020年12月7日，有国内媒体报道称，我国知名半导体设备制造商上海微电子设备公司（SMEE）采用国产以及日本零部件研发的28nm第二代深紫外（DUV）光刻机有望在2021年4季度实现交付。
　　事实上，早在2019年11月13日，江苏省开发区协会就曾发布了一篇透露DUVi光刻机进展的新闻。文章称2020年28纳米国产光刻机将完成整机集成。
　　由此可见，多方消息均证实，国产DUVi光刻机已经突破核心技术，即将投产！不出意外的话，最快年底国产DUVi光刻机就能投产！
　　二、我国刚刚突破国产EUV光刻机三大核心技术，可用于制造5纳米制程或更小制程的高端芯片。
　　EUV光刻机采用波长为13。5纳米的光源，因波长太短，透射损耗太大，根本就不适合采用透镜折射，只能采用超高精度碳化硅反射镜反射光线。因此，这种光刻机的三大核心零部件与DUV光刻机还是有点区别的，分别是波长为13。5纳米的EUV光源、双工件台、超高精度反射镜。
　　荷兰ASML生产的EUV光刻机
　　前两个核心技术我国早已攻克，早在2016年，我国就研制出了双工件台，2017年又突破了EUV光源关键技术。
　　2016年5月9日，清华新闻网发布了一篇名为《清华成功研发光刻机双工件台掩模台系统样机》的新闻报道，证实了我国已经造出来双工件台，运动精度达到2纳米级别，套刻精度达到4纳米。2020年，又有网友透露，国内的华卓精科与清华大学合作，将其套刻精度继续提升至1。7纳米级别！这种精度已经可以用于生产5纳米芯片的制造了！
　　2017年7月6日，《中国科学报》发布了一篇名为《极紫外光刻关键技术研究通过验收》的消息。根据文中提到的构建了EUV光刻曝光装置，国内首次获得EUV投影光刻32nm线宽的光刻胶曝光图形可以看出，这次验收的技术就是EUV光源。查阅资料得知，2006年，荷兰ASML研制出的EUV光刻机原理试验装置也是曝光出32nm线宽的光刻胶曝光图形。
　　然而，超高精度反射镜却迟迟没有消息，最近这个关键技术也传来好消息！
　　7月1日重大节日刚过，第二天，我国中科科仪旗下的中科科美就传来佳讯！报道称，在庆祝中国共产党百年华诞之际，由国家发改委立项支持、中科院高能物理研究所承建的高能同步辐射光源（HEPS）首台科研设备于6月28日上午安装，为其提供技术研发与测试支撑能力的先进光源技术研发与测试平台（PAPS）启动试运行。其中，中科科仪控股公司中科科美研制的直线式劳埃透镜镀膜装置及纳米聚焦镜镀膜装置也于同一天正式投入使用。
　　直线式劳埃透镜镀制装置及纳米聚焦镜镀制装置可实现各类高能物理装置聚焦镜、单色镜、劳埃镜、纳米聚焦镜等膜层制备。在两装置研制过程中，中科科美突破了多项先进制造技术：
　　1、精密加工制造技术，实现大型真空腔室及复杂运动系统精密加工与装配、减震及超洁净等严苛设计指标；2、大型真空系统超高真空获得技术，实现结构复杂、内部零部件放气量大的大型真空腔室系统极限真空度达到106Pa；3、高精度直线运动控制技术，实现长距离导轨运行平行度达到微米量级、运动系统速率稳定性控制在千万之一以内；4、复杂镀膜工艺技术，实现高精度纳米量级万层镀膜工艺，膜厚精度控制在0。1纳米以内。
　　那么，文中提到的直线式劳埃透镜镀膜装置及纳米聚焦镜镀膜装置是用来干嘛的呢？
　　直线式劳埃透镜镀制装置
　　实际上，这装置是用来制造超高精度镜片的，也包括EUV光刻机的超高精度碳化硅反射镜！这个装置研制成功以后就标志着我国已经能够研制EUV光刻机三大核心零部件中最难的反射镜。
　　之所以说它难，是因为它对精度的要求达到的近乎极限的超过精度，其精度要求达到亚纳米级别！这是什么概念呢？查阅资料得知，硅原子的直径约为0。1纳米。上述报道提到的膜厚精度控制在0。1纳米以内就意味着这装置能够将碳化硅反射镜的精度提升到极限，之所以无法继续提升是因为其精度已经达到硅原子的尺度，无法继续再细分。
　　至此，我国已经突破了EUV光刻机的三大核心技术！按照荷兰ASML的EUV研制进度来看，我国距离造出可以用于量产芯片的EUV光刻机原型机仅一步之遥。顺利的话，预计我国将在2年内造出EUV光刻机原型机！华为高端芯片无法生产的卡脖子难题也将迎刃而解！
　　如此看来，今年4月份，世界唯一的高端光刻机生产商阿斯麦的CEO竟然一语中的！为这些努力攻坚克难，却又默默无闻的科技工作者点赞！你们才是最耀眼的明星！
　　光刻机本质上可以看成一种特殊的超高精度机床，一旦研制出来，理论上就没有任何机床是我们造不出来的。有朝一日，反华势力把我国逼成全能王，那就没有其他国家什么事，低端、中端、高端产业通吃，带来的冲击就不是哪个发达国家能够掌控的！古人早就说过，生于忧患死于安乐。技术封锁对于我们这样具有研发能力的国家来说，不但没有效果，还会加速我们崛起速度。
　　最后，预祝我国早日解决芯片卡脖子难题，为华为手机高端芯片凤凰涅槃打掉生产环节的拦路虎！