国产并口PSRAM存储芯片EMI164NA16LM

　　EMI164NA16LM该设备是一个集成的存储器设备，其中包含64Mbit静态随机存取存储器，使用自刷新DRAM阵列由16位组织为4M。模具具有单独的电源轨，VCCQ和VSSQ，用于从设备核心的单独电源运行。
　　特征
　　电源
　　VCC和VCCQ电压：3。0V（2。7V3。6V）
　　配置：64MB（4MBX16）
　　读取速度
　　异步读访问：70ns
　　低功耗
　　异步操作：30mA
　　待机电流：350UA（最大值）
　　低功耗功能
　　片上温度补偿自刷新（TCSR）
　　工作温度范围：40C85C（工业）
　　包装：48TFBGA（6。0x7。0mm）
　　引脚封装
　　48TFBGA（6。0x7。0mm）
　　EMI164NA16LM该设备是67，108，864位pSRAM，使用DRAM型存储器单元，但该器件具有无刷新操作和极端低功耗技术。接口与低功耗异步类型SRAM兼容。该设备组织为4，194，304字x16位。
　　图2。功能框图
　　功能描述
　　64MB设备包含67，108，864位DRAM核心，组织为16位的4，194，304个地址。该设备包括行业标准，在其他LOWPexerSRAM产品上找到的异步内存接口
　　表1功能描述
　　1。当UB和LB处于选择模式（低）时，DQ0DQ15受到如图所示的影响。
　　当仅LB处于选择模式时，DQ0DQ7受到如图所示的影响。只有UB处于选择模式时，DQ8DQ15会受到如图所示的影响。
　　2。当设备处于待机模式时，控制输入（We，OE），地址输入和数据输入输出在内部与任何外部影响分离。
　　3。当我们处于活动状态时，OEINPUT在内部禁用，对IO没有影响。
　　4。只要更改地址，设备将在此模式下消耗有效电源。
　　5。VINVCCQ或0V，所有器件引脚都是静态（未切换的），以实现备用电流。
　　关于EMI
　　安徽伟凌创芯微电子有限责任公司（简称EMI）位于合肥市高新区，是一家以市场为导向的无晶圆半导体公司。专注于利基市场专用芯片小型蓝牙SOC芯片存储芯片SRAMPSRAM及整体解决方案，第一代产品涉及千兆万兆USB网口芯片以及音视频接口芯片。提供创新、高品质、高性价比、供货持续稳定的芯片，并通过提供软硬件Turnkeysolution，降低客户研发难度，缩短客户量产时程。产品领域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、应用展现、特种通信和智能建筑等。EMI代理英尚微电子支持提供产品相关技术支持。