铁电存储器FRAM与其他内存的比较

　　FRAM是一种非易失性存储器，因为它结合了ram和非易失性存储器的优点。相对于闪存EEPROM的写入优势和非易失性使其非常适合在断电情况下存储数据。具有高读写耐久性和快速写入速度。英尚微存储芯片供应商可提供产品测试及技术支持。
　　功能比较
　　FRAM
　　EEPROM
　　FLASH
　　SRAM
　　内存类型
　　非挥发性
　　非挥发性
　　非挥发性
　　易挥发的
　　写法
　　覆盖
　　擦除写入
　　擦除写入
　　覆盖
　　写周期时间
　　150ns
　　5ms
　　10s
　　55ns
　　读写周期
　　1013hr106hr105hr无限
　　升压电路
　　No
　　Yes
　　Yes
　　No
　　数据备份电池
　　No
　　No
　　No
　　Yes
　　串行FRAM与EEPROM闪存
　　与传统的非易失性存储器如EEPROM和Flash相比，FRAM具有写入速度更快、耐用性更高和功耗更低的优势。使用FRAM代替EEPROM和Flash更有优势；
　　性能改进
　　由于写入速度快，即使在突然断电的情况下，铁电存储器也能以写入方式存储数据。不仅如此，FRAM可以比EEPROM和Flash存储器更频繁地记录数据。写入数据时，EEPROM和闪存需要高电压，因此比FRAM消耗更多功率。因此，通过使用FRAM，可以延长电池供电的小型设备的电池寿命。
　　总之，FRAM是；
　　能够在突然断电时以写入方式存储数据
　　可以进行频繁的数据记录
　　能够延长电池供电设备的电池寿命
　　总成本降低
　　在工厂对每个产品进行参数写入的情况下，铁电存储器有助于降低制造成本，因为与EEPROM和闪存相比，FRAM可以缩短写入时间。此外，FRAM可以给您一个芯片解决方案，而不是多芯片解决方案，例如2个芯片由EEPROMFlash组成，或者3个设备由EEPROMSRAM电池组成。
　　缩短出厂参数写入时间
　　减少最终产品中使用的零件数量
　　并行FRAM与SRAM
　　具有并行接口的铁电存储器，兼容电池备份SRAM，可以替代SRAM。通过将SRAM替换为FRAM，客户希望获得以下优势。
　　总成本降低
　　使用SRAM的系统需要保持电池状态检查。通过更换为FRAM，客户可以从电池检查的维护负担中解脱出来。此外，FRAM不需要SRAM所需的电池插座和防回流二极管及其空间。FRAM的单芯片解决方案可以减少空间和成本。
　　免维护；无需更换电池
　　设备小型化；可以减少最终产品的许多零件
　　环保产品
　　废旧电池成为工业废弃物。通过用FRAM替换SRAM电池，可以减少不必要的备用电池。
　　减少电池处理