台积电高管说出实情，没有EUV光刻机，也有可能造出5nm芯片

　　台积电和三星，为何能造出5nm，甚至3nm芯片，相信很多人会不约而同的想到EUV光刻机。台积电和三星获得了ASML超过70的高端EUV光刻机，也正是因为如此，有很多人认为，要想造出高端芯片，就需要先研发出EUV光刻机。
　　在过去的一年中，有很多专家和机构，都对自研EUV光刻机的难度进行了分析。总结起来，有2点，一方面认为EUV光刻机的零部件覆盖全球数百家企业，另一方面，EUV光刻机研发成本高、周期长，故而认为自研EUV光刻机的难度很大，甚至有人认为没有可能。
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　　让人意外的是，关于EUV光刻机和高制程工艺芯片制造之间的关系，似乎很多人都走入了误区。近日台积电的技术高管林本坚却道出实情，造出5nm高端芯片，并非一定就需要EUV光刻机。
　　在半导体行业提到林本坚的名字，可谓无人不晓。他曾在IBM工作了22年，于2000年正式加入台积电。值得注意的是，林本坚的主要研发方向，就是芯片制造，其中也包括了光刻机技术。
　　2002年，林本坚通过多次技术尝试和试验，提出了沉浸式光刻技术，并在业内引起了强烈反响。林本坚承认，如果利用多重曝光技术，可以在没有EUV光刻机的前提下，做出5nm芯片。
　　在林本坚看来，EUV光刻机不是5nm芯片的必需设备，虽然多重曝光技术的成本略高，但这并不影响这条技术路线的可能性。
　　EUV光刻机就像是高端芯片制造的高速公路，可以在保证芯片良率的同时，大大降低高制程工艺芯片的制造成本。而林本坚提到的多重曝光技术，则更像是普通公路，速度虽然慢点，到同样可以到达目的地。
　　可能很多人会认为，这种过时的沉浸式光刻技术没什么用，至少没法与拥有EUV光刻机相提并论。
　　要知道，直到目前为止，沉浸式光刻技术，依然被广泛地应用在台积电的芯片制造工艺中。这不得不让我们去思考另外一个问题，既然EUV光刻机的研发难度很大，周期会很长，我们为何不利用这种多重曝光技术，来先解决5nm芯片的有无问题呢？
　　毫无疑问，林本坚的技术成果，给国内自研芯片提供了一种新思路。我们既要保持研发动力，继续在光刻机等半导体设备上继续向前，另外一方面，我们也应该变换一种思维，例如林本坚提到的沉浸式光刻机，从技术路线上，就与台积电形成差异化。
　　这些通信技术、半导体技术的快速发展，包括家电、汽车等产品，对芯片的工艺制程，会要求越来越高。EUV光刻机的障碍迟早会被突破，但我们也要有创新的半导体生产思路，既不能在市场被卡脖子，也不能在专利技术上，让自研技术的发展受到制约。
　　有了台积电高管林本坚的这席话，我们有理由相信，在EUV光刻机到来之前，我们就有希望实现5nm芯片的制造。
　　台积电之所以能成为半导体代工巨头，一方面是张忠谋的眼光、魄力，以及台积电多年积累的基石实力，另一方面，ASML的EUV光刻机供应，也从另外一个角度，助推了台积电的成功。
　　沉浸式光刻技术并不是什么新概念，包括中芯国际在内的企业，应该在这方面进行大胆的尝试，并提前布局技术方案。
　　张忠谋曾经说过，举国之力，也无法造出光刻机。如今在仔细品位这句话，张忠谋似乎在有意进行错误的引导。为何一定要先造出高端光刻机，才能造出5nm芯片呢？
　　在科学技术研发的这条道路上，始终要相信技术创新的价值，我们可以去研究ASML的光刻机和相关技术积累，但我们也要时刻保持技术创新的思维。
　　如今台积电的3nm芯片已实现量产，2nm芯片也呼之欲出，全球半导体产业将迎来一次全新的变化。
　　如果调整研发方向，中芯国际等半导体企业，加大在沉浸式光刻技术上的研究，你认为没有ASML的EUV光刻机，自研的5nm芯片，能提前到来吗？